Расчет режимов резания и норм штучного времени

м/мин.

Число оборотов шпинделя при зенкеровании

об/мин.

По паспорту станка принимаем об/мин.

м/мин.

Минутная подача:

мм/мин.

Основное время при зенкеровании:

мин.

Основное время при подрезке торца:

(205)

Поскольку обработка производится последовательно на одной позиции, то:

мин. (206)

Осевая сила и крутящий момент при зенкеровании, согласно [16, т. 2., стр.277]:

; (207)

; (208)

;

где - показатель степени для твердого сплава при зенкеровании,

Значения коэффициентов и показателей степени в формуле крутящего момента, согласно [16, т. 2., табл. 32, стр. 281.].

, , , .

Крутящий момент при зенкеровании:

Нм.

Значения коэффициентов и показателей степени в формуле осевой силы, согласно [Косилова, т. 2., табл. 32, стр. 281]:

, , .

Осевая сила при зенкеровании:

Н.

Мощность резания при зенкеровании:

3-ая позиция. Зенкеровать отверстие Ø25 мм.

мм.

Методика расчета режимов резания и мощности соответствует позиции 2.

Эффективная мощность резания, затрачиваемая на всех рабочих позициях станка соответствует:

Мощность, потребляемая электродвигателем станка:

, (209)

где - КПД коробки скоростей,

кВт.

Станок 1Б240П-4К снабжен электродвигателем мощностью кВт.

Популярное на сайте:

Расчет комплекта штанг для правки кузовов
Комплект штанг для правки кузовов изготавливается из трубы 60 х 4 из стали 20. Расчет штанг производим из условия, действия максимальной нагрузки Р=2000 кг. Определим максимальную длину штанги из условия гибкости стержня. Расчетная схема рис. 2.2. Расчет произведем по формуле. l= 150 гибкость стерж ...

Подбор технологического оборудования
К технологическому оборудованию относят стационарные, передвижные и переносные стенды, станки, всевозможные проборы и приспособления, занимающие самостоятельную площадь на планировке. необходимые для выполнения работ всех видов работ. К организационной оснастке относят производственный инвентарь (в ...

Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...